Producta principalia YMIN in septem regionibus in PCIM exhibita sunt.
PCIM Asia, Expositio et Conferentia Praestantissima in Asia de Electronicis Electricis et Semiconductricibus Electricis, Shanghaii habebitur a die XXIV ad XXVI Septembris anni MMXMV. Praeter exhibitionem productorum suorum, Praeses YMIN Shanghaii, Dominus Wang YMIN, etiam orationem principalem habebit.
Informationes Orationis
Tempus: XXV Septembris, XI:XL a.m. – XII:00 p.m.
Locus: Novum Centrum Expositionis Internationale Shanghaiense (Aula N4)
Orator: Dominus Wang YMIN, Praeses Societatis Electronicae YMIN Shanghaiensis, Ltd.
Thema: Applicationes Novae Condensatorum in Novis Solutionibus Semiconductorum Tertiae Generationis
Implementationem Solutionum Semiconductorum Tertiae Generationis Permittentes et Novum Futurum Industriae Impellentes
Cum technologiae semiconductorum tertiae generationis, quae a carburo silicii (SiC) et nitruro gallii (GaN) repraesentantur, per varias industrias profunda applicatione fiant, maiores requisita perfunctionis in componentibus passivis, praesertim condensatoribus, imponuntur.
YMIN Shanghaiensis exemplar duplex innovatione independenti et peritia internationali summae qualitatis substituit, varietatem capacitorum summae efficacitatis feliciter excogitans, aptorum ad ambitus altae frequentiae, altae tensionis, et altae temperaturae. Hi tamquam "socii novi" efficaces et fideles pro instrumentis potentiae novae generationis funguntur, adiuvantes ad vere implementandam et applicandam technologiam conductorum tertiae generationis.
Praesentatio in communicandis pluribus studiis casuum condensatorum altae efficaciae versabitur, inter quae:
Solutio Potentiae Servitoris 12KW – Collaboratio Profunda cum Navitas Semiconductor:
Obviis difficultatibus quas systemata potentiae servorum in miniaturisatione partium principalium et augendo capacitate posita sunt, YMIN facultates suas independentes investigationis et progressionis (R&D), technologia nova impulsas ad transformationem in segmentis specificis promovendam, adhibet, ut feliciter evolvat...Series IDC3(500V 1400μF 30*85/500V 1100μF 30*70). Prospiciens, YMIN perget attente sequi inclinationem ad maiorem potentiam in servitoribus intellegentiae artificialis, intendens in evolutione productorum condensatorum cum densitate capacitatis altiore et vita longiore ad sustentationem fundamentalem praebendam centris datorum novae generationis.
Solutio Potentiae Subsidiariae pro Servitore BBU – Musashi Iaponiae Substituens:
In provincia BBU (potentiae subsidiariae) servorum, supercapacitores lithium-ion seriei SLF ab YMIN producti solutiones traditionales feliciter revolutionaverunt. Responsionem transitoriam millisecundorum gradu et vitam cycli excedentem decies centena milia cyclorum ostendunt, ita ut difficultates responsionis tardae, vitae brevis, et sumptus sustentationis altorum, quae cum systematibus UPS et accumulatorum traditionalibus coniunguntur, fundamentaliter solvantur. Haec solutio magnitudinem systematum potentiae subsidiariae 50%-70% significanter reducere potest, firmitatem copiae potentiae et usum spatii in centris datorum insigniter augens, ita ut eam substitutionem idealem pro notis internationalibus, ut Musashi Iaponica, reddat.
Infineon GaN MOS 480W Fontis Electrici Ferriviarii – Rubycon Substituens:
Ad difficultates commutationis altae frequentiae GaN et latarum temperaturarum operationis occurrendas, YMIN solutionem condensatoris altae densitatis et ESR humilis, specialiter pro Infineon GaN MOS designatam, incepit. Hoc productum degradationem capacitatis minus quam 10% ad -40°C et vitam 12,000 horarum ad 105°C ostentat, problemata defectus et inflationis altae et humilis temperaturae condensatorum Iaponensium traditionalium plene solvens. Fluxus electricos usque ad 6A tolerat, augmentum temperaturae systematis significanter minuit, efficientiam generalem 1%-2% auget, et magnitudinem 60% reducit, clientibus solutionem alimentationis electricae ferriviariae altae densitatis et valde fidam praebens.
Solutio DC-Link pro Vehiculis Novae Energiae:
Ad difficultates altae frequentiae, altae tensionis, altae temperaturae, et altae integrationis instrumentorum SiC tractandas, YMIN incepit...Condensatores nexus continuiInductantia infima (ESL <2.5nH) et vita longa (plus quam 10,000 horae ad 125°C) praedita. Clavis superpositis et materia CPP altae temperaturae utentes, capacitatem volumetricam 30% augent, densitatem potentiae systematis electrici impulsoris excedentem 45kW/L efficientes. Haec solutio efficientiam generalem excedentem 98.5% assequitur, damna commutationis 20% minuit, et volumen et pondus systematis plus quam 30% deminuit, requisitum vitae vehiculi 300,000km implens et spatium itineris circiter 5% augens, salutem et efficaciam praestans.
Solutio OBC et Pali Implendi pro Vehiculis Novae Energiae:
Ut postulatis altae tensionis, altae temperaturae, et magnae fidelitatis suggestus 800V necnon operationi GaN/SiC altae frequentiae occurratur, YMIN condensatores cum ESR infimo et densitate capacitatis alta in usum protulit, qui initium temperaturae humilis ad -40°C et operationem stabilem ad 105°C sustinent. Haec solutio clientibus adiuvat ut magnitudinem OBC et acervorum onerantium plus quam 30% minuant, efficientiam 1%-2% augeant, augmentum temperaturae 15-20°C minuant, et probationes vitae 3000 horarum superent, ita ut rationes defectuum significanter imminuantur. Nunc in productione magna, auxilium fundamentale clientibus praebet ut producta suggestus 800V minora, efficaciora, et fideliora construant.
Conclusio
YMIN Capacitors, cum positione sua in foro "Contact YMIN for capacitor applications," se dedicat ad solutiones capacitorum altae densitatis, altae efficientiae, et altae firmitatis clientibus toto orbe terrarum praebendas, permittens emendationes technologicas et progressus industriales in campis ut servientes AI, vehicula novae energiae, et accumulatio energiae photovoltaicae.
Collegae industriales invitantur ad tabernaculum YMIN (Aula N5, C56) et forum apud PCIM Asia 2025 visitandum, ut de innovatione et futuro technologiae condensatorum in aetate semiconductorum tertiae generationis disceptant.
Tempus publicationis: XXIII Septembris, MMXXXV